NEDO、Rapidusの「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」、および「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」の2026年度の計画・予算を承認 

Rapidus株式会社（本社：東京都千代田区麹町4丁目1番地、代表取締役社長兼CEO：小池淳義）は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）から、「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（委託）」における「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」、および「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」の2026年度の計画と予算が承認されたことをお知らせします。 

「日米連携に基づく2nm 世代半導体の集積化技術と短TAT 製造技術の研究開発」は、2022年11月に次世代半導体の研究開発プロジェクトとして採択され、その後、年度ごとに計画・予算が承認されてきました。直近の2025年度では、北海道千歳市の製造拠点IIM（イーム・Innovative Integration for Manufacturing）に設置完了した製造装置によって、4月からパイロットラインの立ち上げを開始し、300mmウェーハへの2nm GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタ動作確認を端緒に試作開発を進めるとともに、先行顧客向けに先行評価用PDK（Process Design Kit）をリリースし、顧客によるプロトタイピングが開始できる環境を整えるなどし、目標を達成しました。 

また、「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」は2024年3月に初めて採択されました。2025年度は北海道千歳市のセイコーエプソン株式会社様の千歳事業所内に設置した半導体後工程の研究開発拠点「Rapidus Chiplet Solutions（RCS）」において、昨年4月から製造装置導入を開始し、量産化技術確立のためのパイロットライン構築を行いました。また、業界初となる600mm角パネルでの有機絶縁膜RDL（Redistribution Layer）インターポーザ試作を行うと共に、3Dパッケージ技術、最新の後工程技術に対応したリファレンスフローの開発を進めました。 

2026年度の計画・予算の承認により、Rapidusは今後2nm世代のロジック半導体の量産技術開発を進め、顧客の設計に必要なPDKのリリースを行うとともに、これまでに開発した短TAT生産システムに必要な装置、搬送システム、生産管理システムをパイロットラインに実装し検証を行います。またパイロットラインにおいて、歩留まり向上の施策を進め欠陥密度の年度内目標を達成する計画です。 

後工程の分野では、RCSのパイロットラインを本格稼働させ、2nm世代半導体を含む3次元（2.xD, 3D）パッケージ製造技術開発を進めるとともに、アプリケーション毎に最適な高効率/高性能チップレットパッケージの設計およびテスト技術開発を行っていきます。 

Rapidus株式会社　代表取締役社長兼CEO　小池 淳義のコメント 

「Rapidusは2025年度、日本初となる2nm GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタ動作確認の成功や、業界初となる600mm角パネルの有機絶縁膜RDLインターポーザ試作など、プロジェクトを着実に進めることができました。これは偏に経済産業省、NEDO、北海道や千歳市をはじめとする皆様の多大なるご協力によるものであり、この場をお借りして心より感謝申し上げます。今回のNEDOプロジェクトの計画・予算の承認によって、ウェーハプロセスにおいては試作の精度をさらに上げ歩留まり向上の施策を進めるとともに、チップレットでは2nm世代半導体を含む2.xD, 3Dパッケージ製造技術開発をさらに進め、2027年を目標としている量産開始に着実につなげていきたいと思います。」 

【Rapidus株式会社について】 

Rapidus株式会社は、世界最先端のロジック半導体の開発、製造を目指す企業です。設計、ウェーハ工程、3Dパッケージなどのサイクルタイム短縮サービスの開発・提供によって、新産業創出を顧客と共に推進していきます。半導体を通して人々を幸せに、豊かにし、人生を充実したものにする。そのために、私たちは挑戦し続けます。 

＜報道関係者の問い合わせ先＞ 

クレアブ株式会社 

荒木美恵子
Email：maraki@kreab.com

八木美希
Email：myagi@kreab.com